Рентгеновская литография

Начало обучения
24 марта 2025 года
Продолжительность курса
54 академических часа (4-7 недель)
Форма обучения
Очная
Стоимость
15 000 ⃏/чел. - для групп от 4 до 6 человек (стоимость обучения по программе для групп менее 4 человек устанавливается по запросу).
Место проведения
Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижегородская обл., Кстовский район, д. Афонино, ул. Академическая, д. 7)
Документ об окончании
Удостоверение о повышении квалификации
Контакты
E-mail: mmbarysheva@ipmras.ru
Тел.: +7 (920) 013-40-32 (WhatsApp, Viber, telegram)
Руководитель программы: Барышева Мария Михайловна

До окончания набора осталось

0 дней : 0 часов : 0 минут : 0 секунд

Оставить заявку

О курсе

Курс нацелен на изучение литографии как ключевой технологии производства элементов микро- и наноэлектроники, определяющей топологические нормы и степень интеграции сверхбольших интегральных схем. При производстве современных микросхем с наноразмерными топологическими нормами все большее применение находит проекционная литография экстремального ультрафиолетового диапазона (EUV-Extreme Ultraviolet, длина волны 13,5 нм).

Достоинством EUV литографии является короткая длина волны, позволяющая в однократной экспозиции достигать разрешения до 13 нм. На современных фабриках (Intel, Samsung, TSMC) эта литография используется при производстве критических слоев с минимальными топологическими размерами.

В России в настоящий момент ведутся научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, которые позволят разработать отечественный рентгеновский литограф, работающий на длине волны порядка 10 нм.

Практическая часть курса включает в себя изучение спектра мишени лазерно-плазменного источника, применение ионного травления для формирования сверхточных оптических поверхностей, а также получение и исследование рисунка на резисте. Практические и лабораторные работы выполняются на реальном рабочем оборудовании ИФМ РАН.

Слушатели, успешно освоившие предложенную программу, смогут претендовать на работу на предприятиях микроэлектронной промышленности.

Содержание курса

Раздел 1. Общая теория рентгеновской литографии − +

Тема 1. Принципы рентгеновской литографии с использованием маски.
Тема 2. Безмасочная рентгеновской литография.

Раздел 2. Лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения − +

Тема 1. Теория формирования рентгеновского излучения
Тема 2. Теория взаимодействия лазерного луча и газа.
Лабораторная работа №1 «Лазерно-плазменный источник мягкого рентгеновского излучения».

Раздел 3. Аттестация и коррекция формы поверхности оптических элементов в составе рентгеновского литографа − +

Тема 1. Принципы аттестации и коррекция формы поверхности высокоточных оптических элементов.
Лабораторная работа № 2 «Измерение коэффициента распыления при ионном травлении».

Раздел 4. Химические процессы, протекающие в резистах − +

Раздел 5. Практическая литография − +

Практическое занятие №1 «Подготовка образца».
Практическое занятие №2 «Формирование изображения на поверхности резиста».
Практическое занятие №3 «Исследование образца с проявленным рисунком методом АСМ».

Преподаватели

Чхало Николай Иванович

Доктор физико-математических наук, заведующий отделом Многослойной рентгеновской оптики Института Физики Микроструктур РАН, заведующий лабораторией коротковолновой прецизионной оптики и перспективного приборостроения, главный научный сотрудник, автор более чем 300 публикаций в научных журналах и 16 патентов, лауреат премии им. А.Г. Столетова, награжден медалью МинОбрНауки «За вклад в реализацию государственной политики в области научно-технологического развития», руководитель грантов МинОбр, РНФ и РФФИ.

Нечай Андрей Николаевич

Кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Передовой инженерной школы

Пестов Алексей Евгеньевич

Кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией Методов прецизионной обработки рентгенооптических материалов, старший научный сотрудник. Соавтор более чем 100 работ в рецензируемых журналах, 3 патентов и 3 монографий.

Перекалов Александр Сергеевич

Младший научный сотрудник отдела Многослойной рентгеновской оптики ИФМРАН. Автор 15 научных статей в рецензируемых журнал и 1 патента. Лауреат стипендии им. Г.А. Разуваева.

Михайленко Михаил Сергеевич

Младший научный сотрудник отдела Многослойной рентгеновской оптики ИФМРАН. Имеет опыт более 7 лет в области ионного распыления и его приложений. Автор и соавтор более 30 научных статей. Один из соавторов патента «Способ осесимметричной коррекции оптических деталей произвольной формы». Лауреат стипендии имени академика Г.А. Разуваева, конкурса молодых ученых ИФМРАН, спикер школы навыков будущего "Лидерландия" (Soft Skills) (2020), финалист всероссийского этапа Федерального Студенческого Турнира Трёх Наук (2018).

Петрова Дарья Вадимовна

Кандидат химических наук, научный сотрудник отдела Многослойной рентгеновской оптики ИФМРАН, научный сотрудник кафедры органической химии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Инженер-химик «Polyketone». Победитель конкурса стипендий президента РФ для студентов и аспирантов для обучения за рубежом 2019/2020 г. Стажировалась в университете Хасселта (Бельгия) в Институте Материаловедения (Institute for Materials
Research IMO-IMOMEC), в группе Дизайна и синтеза органических полупровод
ников (Design & Synthesis of Organic Semiconductors DSOS).

Артюхов Алексей Иванович

Ведущий технолог ИФМ РАН. Разработчик научно-исследовательского оборудования.

Зорина Мария Владимировна

Научный сотрудник отдела Многослойной рентгеновской оптики ИФМРАН. Соавтор более 80 статей в рецензируемых журналах

Барышева Мария Михайловна

К. ф.-м.н., научный сотрудник отдела Многослойной рентгеновской оптики ИФМРАН, доцент кафедры ФНН РФ ННГУ.

главная

ПОИСК КУРСА ПО ФИЛЬТРАМ

ВСЕ КУРСЫ ПО НАПРАВЛЕНИЯМ

ПОСТРОЙТЕ ПУТЬ К КАРЬЕРЕ

КАЛЕНДАРЬ КУРСОВ

ПОРЯДОК ЗАЧИСЛЕНИЯ